GaSb基金屬-半導體接觸勢壘調制的技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、GaSb半導體化合物由于它們的能帶結構特點在電子和光電子器件的應用方面有著廣泛的前途。在金屬與GaSb半導體接觸中，金屬半導體接觸勢壘對器件有著重要影響，而費米能級釘扎效應是導致接觸勢壘不可調制的主要原因。
　　在這篇文章中，主要通過使用原子層沉積技術(ALD)，在金屬Au與半導體GaSb之間刻意插入一層均勻的氧化物界面層，并研究不同厚度的氧化物薄膜作為界面層對Au/GaSb接觸的影響。根據二極管的電流-電壓(I-V)特性曲線所表

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