雙自旋過濾隧道結中的隧穿磁電阻的理論研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩65頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、近年來，隨著納米技術的應用和發(fā)展，自旋極化電子輸運問題已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理研究中的重要領域之一。本論文對其中關于磁性隧道結(MagneticTunnelJunctions，MTJs)中自旋相關的隧穿磁電阻(TunnelingMagnetoresistance，TMR)效應的一些問題進行了理論研究。 本論文首先介紹了自旋相關的磁電阻效應的背景知識和當前磁性隧道結中自旋相關磁電阻效應的理論與研究現(xiàn)狀。然后，我們研究了由兩層鐵磁絕緣(半

2、導)層夾一薄的非磁絕緣(半導)層所構成的新型雙自旋過濾磁隧道結，即NM/FI/NI/FI/NM新型雙自旋過濾磁隧道結(NM為非磁(NonmagneticMetal)金屬，F(xiàn)I和NI分別為鐵磁和非磁絕緣體或半導體(FerromagneticandNonmagneticInsulator(Semiconductor)))的隧穿磁電導和隧穿磁電阻的特性。該磁性隧道結是在NM/FI/FI/NM型雙自旋過濾磁隧道結的基礎上，進一步在兩個FI層之間

3、插入一NI層，以期克服由于兩個FI層緊密靠在一起，界面處兩層FI間的磁矩可能存在很強的交換耦合作用導致TMR下降并影響雙自旋過濾隧道結的靈敏度的缺點。研究結果表明，NM/FI/NI/FI/NM型雙自旋過濾隧道結可以通過調(diào)節(jié)各絕緣層的厚度獲得較大的TMR值，在一個較大的偏壓范圍內(nèi)該隧道結能克服傳統(tǒng)隧道結中TMR隨偏壓升高而迅速單調(diào)下降的缺點。我們所做的研究工作可能為磁電阻元件的研制提供一些有價值的理論參考資料，并有助于進一步研究電子隧穿效

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論