湖南大學《模擬電子技術基礎》復習重點筆記

1、考試復習重點資料（最新版） 考試復習重點資料（最新版）封面第1頁資料見第二頁 資料見第二頁在本征半導體中摻入適量且適當?shù)钠渌兀ń须s質元素） ，就形成雜質半導體，其導電能力將大大增強。一. Ｎ型半導體在硅或鍺本征半導體中摻入適量的五價元素（如磷） ，則磷原子與其周圍相鄰的四個硅或鍺原子之間形成共價鍵后， 還多出一個電子， 這個多出的電子極易成為自由電子參與導電。 同時,因本征激發(fā)還產(chǎn)生自由電子和空穴對。 結果,自由電子成為多數(shù)載流子(

2、稱多子),空穴成為少數(shù)載流子(稱少子)。這種主要依靠多數(shù)載流子自由電子導電的雜質半導體，叫 N 型半導體 ，如圖 1-4 所示。二. P 型半導體在硅或鍺本征半導體中，摻入適量的三價元素（如硼） ，則硼原子與周圍的四個硅或鍺原子形成共價鍵后，還留有一個空穴。同時，因本征激發(fā) 還產(chǎn)生自由電子和空穴對。結果，空穴成為多子，自由電子成為少子。這種主要依靠多子空穴導電的雜質半導體，叫 P 型半導體。如圖 1-5 所示。無外電場作用時，本征半導體

3、和雜質半導體對外均呈現(xiàn)電中性，其內部無電流。小 結1. 半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間。2. 在一定溫度下，本征半導體因本征激發(fā)而產(chǎn)生自由電子和空穴對，故其有一定的導電能力。3. 本征半導體的導電能力主要由溫度決定；雜質半導體的導電能力主要由所摻雜質的濃度決定。4. P 型半導體中空穴是多子，自由電子是少子。N 型半導體中自由電子是多子，空穴是少子。5. 半導體的導電能力與溫度、光強、雜質濃度和材料性質有關。1.2本征半導體、P

4、型和 N 型半導體都不能單獨構成半導體器件，PN 結才是構成半導體器件的基本單元。1.2.1 PN 結的形成在特殊工藝條件下，P 型和 N 型半導體交界面處所形成的空間電荷區(qū)，稱為 PN 結.一. 一. 多數(shù)載流子的擴散在 P 型和 N 型半導體交界面兩側,電子和空穴的濃度差很大。在濃度差的作用下，P 區(qū)中的多子空穴向 N 區(qū)擴散,在 P 區(qū)一側留下雜質負離子,在 N 區(qū)一側集中正電荷;同時，N 區(qū)中的多子自由電子向 P 區(qū)擴散， 在