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1、河北大學(xué)碩士學(xué)位論文用于硅基鐵電電容器集成的NiTi、NiAl阻擋層研究姓名:閆小兵申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):光學(xué)指導(dǎo)教師:劉保亭20080601Abtsract暑皇!!皇量IIII=ilII=II墨AbstractNi—Ti,NiA1filmasconductivediffusionbarrierlayerandLa0sSro5C003film嬲electrodelayerforintegratingSi—baSedferroelect
2、ricrandomaccessmemory(FRAA9arepreparedonSi(001)atroomtemperaturebymagnetronsputteringmethod,andPb(Zro4噩o6)03(PZT)ispreparedusingsol—gelmethodLa05SrosC003/Pb(Zr04Tio6)03/Lao5Sro5C003/NiTdSi(LSCO/PZT/LSCO/NiTgSi)andLa05Sro
3、5C003/Pb(Zr04凰6)03/『LaJ05Sro5C003/Ni—A1/Si(LSCO/PZT/LSCO/NiAI/Si)ferroelectricheterostructureshavebeensuccessfullyfabricatedVarioustechniques,suchasxraydiffraction(XRD),xrayphotoelectronspectroscopypeps),atomicforcemicro
4、scopy(AFM),transmissionelectronmicroscope(TE№andferroelectrictester(PrecisionLCuni0havebeenemployedtocharacterizethemicrostructure,morphologyinterface,andferroelectricpropertiesoftheferroelectriccapacitorsItisfoundthatlo
5、wpowerpreparedamorphousNiTifilmcouldbeusedasconductivediffusionbarrierlayerforintegratingferroelectriccapacitorsonSiTheinterfacesofPb(Zro4豇o6)03/La05Sro5C003/Ni—Ti/Siheterostructureareverycleanandsharp,indicatingneaction
6、andinterdifmsionattheinterfacesNiinNi豇fihnisnotoxidizedandstillremainsmetallicstateafterannealingGoodtransportpropertyofLSCO/Ni—Ti/SiheterostructureimpliesthecontactsbetweeninterfacesareohmicTheLSCO/PZT/LSCOcapacitormeas
7、uredat5V,possessesverygoodferroelectricproperties,suchassmallcoercivevoltage(128V)andhi曲remnantpolarization(279|lC/cm2),andgoodfatigue—freeandretaincharacteristics,indicatingthatamorphousNi—Tifilmisallidealcandidateforth
8、econductivediffusionbarrierinfabricatingtheSibasedferroelectficrandomaccessmemoriesImpactsofdepositionpoweronthemicrostructuralandphysicalpropertiesofNi—TifilmhavebeenstudiedItisfoundthatthereisastrongcorrelationbetweend
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