DC-DC反激拓撲二次側同步整流控制芯片的實現.pdf

1、開關電源的核心是DC-DC變換器,而DC-DC變換器追求的一個重要方面就是降低DC-DC變換的損耗,提高DC-DC變換的效率。在DC-DC變換器的損耗中,以前的肖特基二極管整流損耗占據很大部分,用導通電阻更低的MOSFET整流可以明顯降低損耗,提高效率。本文設計了一款應用于反激變換的同步MOSFET整流芯片來控制同步MOSFET整流管。 反激同步MOSFET整流的關鍵技術就是： 1：如何合理控制死區(qū)時間死區(qū)時間是指反激變

2、換中,主開關管和整流管都處于截止狀態(tài)的時間。在肖特基二極管反激整流中,幾乎不存在死區(qū)時間問題。而在同步MOSFET整流中,多了一個柵極,這樣就產生了死區(qū)時間。如果死區(qū)時間太短的話,會造成副邊短路,負載得不到能量；如果死區(qū)時間太長的話,會使同步整流MOSFET管過早斷開,從而降低效率。所以芯片需要設計自動跟蹤死區(qū)時間電路。 2：倒流損耗 當高頻脈沖變壓器的副邊能量放完時,如果同步整流MOSFET管還處于導通狀態(tài)的話,由于同

3、步整流MOSFET管雙向導通性,儲能電容C的能量通過同步整流MOSFET管反向倒流,造成不必要的能量浪費。所以要在高頻脈沖變壓器的副邊能量放完時,同步整流MOSFET管必須斷開。 3：抑制寄生振蕩當同步整流MOSFET管導通時,高頻脈沖變壓器的副邊繞組和同步整流MOSFET管的寄生電容發(fā)生的諧振可能會使同步整流MOSFET管剛一導通又馬上截止。所以要設計一種電路保證同步整流MOSFET管可靠導通。 本文設計的這款反激變換