襯底驅動MOS技術的低壓模擬集成電路設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，在筆記本電腦、移動通信等便攜式電子設備和系統飛速發(fā)展的推動下，低壓低功耗模擬集成電路及其設計技術已成為集成電路的重要發(fā)展方向之一。本文首先介紹了低壓低功耗模擬集成電路的背景及發(fā)展趨勢，給出了目前國內外低壓模擬電路設計的主要方法及其優(yōu)缺點。論文重點討論分析了利用襯底端fbulk端)作為信號輸入端的襯底驅動MOS技術的工作原理和低壓特性，以及基于襯底偏置MOSFET的閾值電壓可調節(jié)特性及其低壓特性，并在此基礎上設計了工作于單電源0．

2、8V的基于襯底偏置超低壓CMOS運算放大器、基于襯底驅動技術的0．8V高性能全差分CMOS OTA、基于襯底驅動技術的0．8V三階橢圓OTA-C濾波器以及基于襯底驅動技術的超低壓CMOS帶隙基準源等電路。論文還對所設計的低壓低功耗模擬單元電路在TSMC 0．25um BSIM3V3模型(所用模型的閾值電壓分別為0．5V、-0．6V)下，用Hspice進行了模擬仿真，仿真結果表明，由于采用了襯底驅動技術使得所設計的電路在低壓下可以獲得滿意

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