4H-SiC MESFET結構設計與特性模擬.pdf

1、近年來，SiC功率半導體器件因其具有極好的電特性和物理性質而成為半導體界爭先研究的熱點項目之一。論文對目前SiC的多型體中綜合性能最好的4H-SiC材料的MESFET器件進行了研究。 論文分析了SiC材料的優(yōu)點以及材料的基本性質，簡要說明了SiC的關鍵工藝，闡述了MESFET器件的工作原理，并提出了減小表面態(tài)影響的MESFET器件結構。通過理論分析和ISE TCAD軟件模擬驗證，得到了一系列器件的輸出特性、跨導和轉移特性與器件的

2、幾何、物理參數(shù)的關系曲線，結果顯示如下： 由于器件工藝不夠成熟等原因，器件表面會存在表面態(tài)。與不考慮表面態(tài)的器件的模擬結果相比，考慮表面態(tài)的器件的輸出漏電流因為受到表面陷阱電荷的影響而減小，跨導也會降低，閾值電壓絕對值也會減小，模擬表明在導電溝道和表面之間加入的隔離層可以有效的減弱表面態(tài)的影響。對器件柵的結構特性的模擬結果顯示了器件柵長的增加將導致飽和漏電流和跨導的下降。溝道濃度和溝道厚度的增加都會使器件漏電流增大，而跨導與溝道