大鼠腦缺血后神經細胞自身修復機制的初步研究.pdf

1、腦缺血是一種嚴重威脅人類健康的疾病,缺血后神經細胞的存亡與否取決于神經元損傷程度和自身修復能力之間的平衡.因此,研究各種措施在缺血后是如何加強神經元修復、減輕神經元損傷已成為當今的熱點.血管內皮生長因子(VEGF)作為一種重要的神經營養(yǎng)因子,腦缺血后表達增加;且外源性VEGF具有神經保護作用.然而對于內源性VEGF是否具有神經保護作用,其機理如何,目前還不清楚.因此,我們首先研究了內源性VEGF是否具有神經保護作用,進一步探討這種作用是

2、否同影響神經細胞的DNA修復作用有關.與此同時,越來越多的研究結果表明成年腦內持續(xù)存在著神經元再生;腦缺血可上調大腦皮層和海馬的神經元再生,這可能是一種重要的神經保護機制.因此,在第二部分工作中,我們研究了腦缺血后紋狀體內是否存在神經元再生;如果有的話,新生神經元來自何處及電刺激是否可以上調缺血腦的神經元再生.第一部分:VEGF對缺血損傷腦的保護作用及其機制分析.在該部分的研究中,我們首先應用VEGF反義寡聚脫氧核苷酸(antisens

3、e ODN)抑制腦缺血誘導的內源性VEGF高表達,在明確了VEGF antisense ODN在動物腦內應用的有效性后,觀察VEGF antisense ODN對缺血性神經元損傷的影響以了解內源性VEGF是否具有神經保護作用,以及VEGF的神經保護作用是否同DNA修復因子ERCC6 mRNA表達水平的變化有關.第二部分:成年大鼠缺血損傷腦的神經元再生修復及電刺激的上調作用.在該部分研究中,我們在成年大鼠腦缺血前將熒光染料DiI注射至側腦

4、室中,以選擇性標記側腦室室旁區(qū)的細胞;在腦缺血后腹腔內注射BrdU以標記新生細胞;應用免疫組化雙標結合激光共聚焦顯微觀察明確紋狀體內是否存在著新生神經元及神經元遷移、以及給予電刺激后對此的影響.小結:1.腦缺血后紋狀體內存在著新生神經元,其部分是由側腦室室旁區(qū)遷移而來.2.電刺激可促進腦缺血后新生神經元從側腦室室旁區(qū)向紋狀體外側遷移并發(fā)育成熟.此過程可能對缺血損傷腦的修復及神經功能的恢復起一定的作用.3.電刺激對神經保護的作用可能同其上