In2O3納米結構的生長與性能研究.pdf

1、本文采用化學氣相沉積的方法研制出多種能適用于場發(fā)射應用的具有復雜新形貌的In2O3納米結構，并研究了其生長機理，實現In2O3納米結構的可控制備。豐富了現有的In2O3納米結構的形貌，及其晶體生長學的研究。本文進一步研究了In2O3納米結構的光學、電學特性，及其在場發(fā)射平板顯示器上的應用，探索了其形貌和場發(fā)射性能之間的關系，為場發(fā)射平板顯示領域和功能性納米器件提供一種新的場發(fā)射陰極材料和構建單元。主要內容和創(chuàng)新點如下：
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2、.采用化學氣相沉積的方法，通過適當地改變實驗條件，如源材料、溫度、載氣流量等，成功制備了In2O3納米棒、納米塔、納米觸須、納米箭等，并首次生長了多角分層納米塔狀結構。
　　 2.對In2O3納米結構生長過程中，各實驗參數對其生長及形貌的影響進行了分析，并進而對其生長機理進行了詳細分析，實現其可控生長，突破了難以可控制備復雜納米結構的局限性。
　　 3.采用高分辨透射電鏡、掃描電鏡對制備的In2O3納米結構進行結構、形貌