RF SOI CMOS工藝器件仿真及電路應用研究.pdf

1、近年來，隨著便攜式系統(tǒng)和無線通訊系統(tǒng)的迅速發(fā)展，電子產品的消費已經轉移到射頻領域。這為SOI技術的應用開辟了廣闊的前景：一方面，由于射頻領域的便攜式系統(tǒng)和無線通訊系統(tǒng)多數是使用電池作為能源的，因此降低系統(tǒng)功耗和驅動電壓就成為需要解決的首要問題。在這方面，SOI CMOS技術由于寄生電容小而成為解決功耗問題的一項關鍵技術。另一方面，射頻領域的發(fā)展要求集成水平和工作頻率提高，耦合噪聲問題變得更加關鍵。采用全氧隔離的SOI CMOS技術實現了

2、器件和基片之間的完全隔離，顯著降低了高頻RF和數字、混合信號器件之間的串擾現象，從而使耦合噪聲問題得到的很大改善。
　　 本論文根據所承擔的上海市科委項目要求，參與制定了SOI CMOS電路與器件的設計規(guī)則，并繪制了版圖。在這一基礎上，參加了上海貝嶺公司的0.5um SOICMOS工藝平臺的建設。利用Silvaco軟件對SOI CMOS工藝進行了模擬仿真。由于該公司SOI藝平臺在國內屬特種工藝，因此本文所取得的仿真及研究成果對今

3、后的SOI CMOS工藝的改進具有重要意義。
　　 本文研究取得的結果如下：
　　 1．詳細介紹了0.5um SOI CMOS的工藝流程，并利用Silvaco軟件對工藝進行仿真。在仿真結果的基礎上，對貝嶺公司原有的0.5um體硅工藝進行開發(fā)和改進，為國內SOI CMOS工藝的研究與工藝生產線的建立提供了參考。
　　 2．研究了SOI CMOS器件尤其是PD SOI MOS器件的特性和特殊結構，例如：T型柵，H型柵