溶膠-凝膠法制備摻雜鉍、釔、鈮的鈦酸鍶鋇基陶瓷薄膜的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、 本文對(duì)應(yīng)用于DRAM電容介質(zhì)的鈦酸鍶鋇(BST)薄膜材料的制備與性能進(jìn)行了研究。采用溶膠—凝膠方法以廉價(jià)的Ba和Sr的醋酸鹽為前軀體成功制備了均一BST薄膜，并對(duì)其結(jié)構(gòu)與性能進(jìn)行了表征。在熱解、晶化過(guò)程中升溫速率、保溫時(shí)間、降溫速率對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)有較大的影響。探索了工藝對(duì)薄膜表面形貌的影響，最佳燒結(jié)工藝條件為：升溫速率0.5℃/min，降溫速率1℃/min。在BST薄膜與基質(zhì)之間制備了TiO2緩沖層，它有效解決了電極與基質(zhì)剝離的

2、問(wèn)題。利用SEM、TG、DTA，對(duì)燒結(jié)制度、晶化溫度進(jìn)行了分析，得到最佳晶化溫度為750℃，保溫時(shí)間60min。研究了薄膜厚度對(duì)其電學(xué)性能的影響，采用溶膠—凝膠方法制備薄膜的厚度為450nm時(shí)，Pt/BST/Pt薄膜電容器在1KHz下其介電常數(shù)為70.2，介電損耗0.09。研究了微量元素鉍、釔和鈮對(duì)BST薄膜(摻量分別為：0.7～3mol﹪和0.39～4.12mol﹪)的結(jié)構(gòu)與介電性能的影響規(guī)律。測(cè)試了薄膜的介電性能與微量元素含量的關(guān)

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