微量鎵對高壓陽極鋁箔再結晶織構及腐蝕發(fā)孔性能的影響.pdf

1、陽極鋁箔是生產高壓鋁電解電容器的關鍵材料，經過多年發(fā)展，國產高壓陽極鋁箔的立方織構占有率已能穩(wěn)定在95％以上，但其在環(huán)保型鹽酸-硫酸體系中的電化學腐蝕擴面效果差。為了提高高壓鋁箔的擴面效果，開發(fā)適應于鹽酸-硫酸腐蝕體系的鋁箔，本文在研究微量Ga對高純鋁電化學性能影響的基礎上，利用光學顯微鏡、掃描電鏡和電化學工作站研究了微量Ga對鋁箔立方織構強度及腐蝕發(fā)孔性能的影響。主要結果如下:
　　 (1)微量Ga能提高高純鋁在含氯離子溶液中

2、的電化學活性，即使其含量僅40ppm。500℃退火1h后，相對高純鋁，Al-40ppmGa的開路電位向負電位方向移動約0.1～0.15V、點蝕電位負移約0.12V;但其活化效果不及0.5％Ga，同時受熱處理工藝影響。
　　 (2)微量Ga不會阻礙強立方織構的形成，即使其含量接近80ppm。Ga含量低于80ppm時，含Ga鋁箔的立方織構強度與相同工藝制備的常規(guī)鋁箔的相當甚至更強;其中，Ga含量為20ppm時，鋁箔的立方織構占有率超

3、過95％，此后隨Ga含量增加，立方織構占有率有所起伏，但都在90％以上。
　　 (3)成品退火后，Ga會在鋁箔表面富集，進而提高鋁箔對氯離子的敏感性及改善其在HCl-H2SO4體系中的腐蝕發(fā)孔性能。相對常規(guī)鋁箔，在T≈540℃、t≤2h工藝區(qū)間退火的含Ga鋁箔的點蝕電位負移至約-0.855V，腐蝕區(qū)面積比提高至95％～98％。其中，Ga含量20ppm時，鋁箔表面蝕坑眾多、孔徑適中、分布較均勻;而Ga含量增加至約80ppm時，腐蝕