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文檔簡介
1、寬禁帶半導體材料SiC因其禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、反向恢復特性好等優(yōu)異特性，成為繼Si、GaAs之后的新一代半導體材料。由SiC材料制造的二極管(SiC SBD)可以在高溫、高壓下工作，且具有正溫度系數，反向恢復特性好等優(yōu)點，有效解決了大功率CCM APFC電路中快恢復Si二極管開關損耗大，很難實現高頻化的問題。
本文對SiC SBD的特性、功率因數的定義和計算、Boost APFC電路中開關損耗做了詳盡的分析和
2、討論，介紹了各種PFC技術的拓撲、控制及控制芯片UC3854的封裝和工作原理。仿真比較了有源PFC電路和無源PFC電路，相對于無源PFC，有源PFC盡管電路結構較復雜，但電路性能有較好的改善，THD由25.2％降低到9.3％，PF值由0.9697提高到0.9957，且輸出電壓波動減小，本文重點是用UC3854芯片設計了一款250W輸出的APFC電路，針對于市場上的UC3854控制的PFC都是用Si二極管實現的，本文使用Cree公司的Si
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