納米線圍柵MOS器件關鍵工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，場效應晶體管的特征尺寸不斷按比例縮小，當器件尺寸進入納米尺寸時，會面臨著嚴重的短溝道效應。圍柵Si納米線器件結構具有最佳的柵控能力和優(yōu)良的輸運特性，被視為可以將MOS器件尺寸縮短到極限尺寸的最理想的器件結構。
　　為了制備Si納米線，首先我們采用電子束工藝、trimming工藝和側墻工藝成功制備出亞100nm尺寸的Sifin條，此外，我們還提出了“trimming+側墻”工藝進一步改善了傳統(tǒng)側墻工藝制備出

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