一種高性能低壓差線性穩(wěn)壓器的研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來隨著整個電子產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，對于電子產(chǎn)品的性能要求越來越高，且電子產(chǎn)品的功能越來越多且復雜，這在客觀上要求電子產(chǎn)品的電池性能也越來越高，由于電池的容量都是有限的，低壓差線性穩(wěn)壓器不僅延長芯片的壽命，且具有很好的電源波紋抑制能力，不僅能夠作為單獨芯片給其他芯片供電，還可以將其集成到芯片內(nèi)部給關鍵模塊供電，本文設計研究了一款應用于SOC芯片中給PLL供電的LDO線性穩(wěn)壓器。
　　 本文首先介紹LDO的發(fā)展現(xiàn)狀，接下來講述LDO

2、線性穩(wěn)壓器的基礎知識和主要的性能指標。然后，對LDO線性穩(wěn)壓器最主要的兩個參數(shù):穩(wěn)定性和電源抑制比，進行小信號建模，給電路設計提供理論指導。接下來對LDO各子模塊進行原理分析并給出實際電路實現(xiàn)。包括帶隙電壓基準，誤差放大器、以及限流保護電路，并給出仿真結果;最后給出了LDO線性穩(wěn)壓的整體仿真結果。
　　 該設計采用SMIC65nm標準CMOS工藝，用Cadence Spectre對LDO線性穩(wěn)壓器進行了整體的全面仿真，最大輸出負

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